Samsung สร้าง FinFET ขนาด 14nm สำเร็จ

มีข่าวเมื่อเดือนสิงหาคมว่าว่าลงทุนโรงงานทำชิปในรัฐ Texas ตอนนี้มีข่าวมาอีกครับว่า สร้าง FinFET ขนาด 14 นาโนเมตรได้สำเร็จแล้ว นำเอาไปต่อยอดสร้างชิปประหยัดพลังงานได้

FinFET ซึ่งคือ FET แบบหนึ่ง ตัว FET ถ้าถามว่ามันใช้ทำอะไรได้บ้าง ขอตอบว่ามันก็คือสวิตช์อิเล็กทรอนิกส์แบบหนึ่ง ใช้ระดับแรงดันไฟฟ้าจากขั้วหนึ่งทำการส่งคำสั่งสั่งให้ไฟฟ้าไหลหรือไม่ไหลในสองขั้วที่เหลือ ซึ่งสวิตช์เปิดปิดไฟก็เป็นพื้นฐานในการสร้างวงจรดิจิทัลอื่นๆ รวมถึงชิปประมวลผลด้วย

updated: ขออธิบายว่าเพิ่มเติมแบบไม่ลงลึก ว่า FinFET ต่างจาก FET อื่นๆ ตรงไหน จากคลิปของ ARM

ถ้าจะอธิบายคร่าวๆ ขั้ว gate ที่ทำหน้าที่สั่งปิดเปิดให้อิเล็กตรอนไหล (ก็คือกระแสไฟฟ้า) ตรงเส้นทางจาก source (แปลว่าแหล่ง หมายถึงที่ที่ของอิเล็กตรอนเข้ามา) ไป drain (แปลว่าท่อน้ำทิ้ง คืออิเล็กตรอนไหลออกไป) แทนที่ gate จะเป็นแผ่นแบนๆ อยู่ด้านเดียวของเส้นทางนั้น ก็ล้อมทั้งสองด้านของเส้นทางนั้นเลย ทำให้กระแสรั่วตอนสั่งให้อิเล็กตรอนหยุดไหลน้อยลง

ที่มา http://www.engadget.com/2012/12/21/samsung-first-14nm-finfet-test-chip-/

Leave a Reply

Fill in your details below or click an icon to log in:

WordPress.com Logo

You are commenting using your WordPress.com account. Log Out / Change )

Twitter picture

You are commenting using your Twitter account. Log Out / Change )

Facebook photo

You are commenting using your Facebook account. Log Out / Change )

Google+ photo

You are commenting using your Google+ account. Log Out / Change )

Connecting to %s